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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4563DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4563DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4563DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC 0 2,500:$0.97200
SI7997DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 0 1:$2.49000
25:$1.91720
100:$1.73950
250:$1.56200
500:$1.34900
1,000:$1.13600
SI7997DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 0 1:$2.49000
25:$1.91720
100:$1.73950
250:$1.56200
500:$1.34900
1,000:$1.13600
SI7997DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 0 3,000:$0.95850
6,000:$0.92300
15,000:$0.88750
30,000:$0.86975
75,000:$0.85200
SI7905DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL P-CH D-S 40V 1212-8 0 3,000:$0.90450
SI4943BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 0 2,500:$0.90450
SI4563DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫歐 @ 5A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2390pF @ 20V
功率 - 最大: 3.25W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)