| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4511DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC | 2,500 | 2,500:$0.67200 5,000:$0.63840 12,500:$0.61200 25,000:$0.59520 62,500:$0.57600 |
| SI7913DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK | 14,229 | 1:$1.86000 25:$1.43120 100:$1.29850 250:$1.16600 500:$1.00700 1,000:$0.84800 |
| SI7913DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK | 14,229 | 1:$1.86000 25:$1.43120 100:$1.29850 250:$1.16600 500:$1.00700 1,000:$0.84800 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | N 和 P 溝道 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 7.2A，4.6A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 14.5 毫歐 @ 9.6A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1.8V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.1W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |