| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4913DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC | 2,500 | 2,500:$1.21500 5,000:$1.17000 12,500:$1.12500 25,000:$1.10250 62,500:$1.08000 |
| SI4913DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC | 4,789 | 1:$3.15000 25:$2.43000 100:$2.20500 250:$1.98000 500:$1.71000 1,000:$1.44000 |
| SI4913DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC | 4,789 | 1:$3.15000 25:$2.43000 100:$2.20500 250:$1.98000 500:$1.71000 1,000:$1.44000 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 個(gè) P 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 7.1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 15 毫歐 @ 9.4A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 1V @ 500µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 65nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.1W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |