| 品牌 | power | 型號 | top200tai |
| 應用范圍 | 振蕩 | 功率特性 | 中功率 |
| 頻率特性 | 中頻 | 極性 | npn型 |
| 結構 | 外延型 | 材料 | 硅(si) |
| 封裝形式 | 直插型 | 封裝材料 | 金屬封裝 |
| 營銷方式 | 庫存 | 產品性質 | 冷門 |
三極管簡介
晶體三極管的結構和類型
晶體三極管,是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上兩個相距很近的pn結,兩個pn結把正塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發射區和集電區,排列方式有pnp和npn兩種,
從三個區引出相應的電極,分別為基極b發射極e和集電極c。
發射區和基區之間的pn結叫發射結,集電區和基區之間的pn結叫集電極。基區很薄,而發射區較厚,雜質濃度大,pnp型三極管發射區"發射"的是空穴,其移動方向與電流方向一致,故發射極箭頭向里;npn型三極管發射區"發射"的是自由電子,其移動方向與電流方向相反,故發射極箭頭向外。發射極箭頭向外。發射極箭頭指向也是pn結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有pnp型和npn型兩種類型。
晶體三極管具有電流放大作用,其實質是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。我們將δic/δib的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數,用符號“β”表示。電流放大倍數對于某一只三極管來說是一個定值,但隨著三極管工作時基極電流的變化也會有一定的改變。