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參數(shù)資料
| 型號： | EG1Y |
| 英文描述： | Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes(- 400V) |
| 中文描述： | 超快速恢復(fù)整流二極管（ - 400V） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | EG1Y |
Package
Part Number
VRM
(V)
IF (AV)
(A)
IFSM
(A)
50Hz
Half-cycle Sinewave
Single Shot
VF
(V)
IF
(A)
IF/IFP
(mA)
IR
(
A)
IR (H)
(mA)
VR =VRM
max
VR =VRM
max
Tj
(
°C)
Tstg
(
°C)
Ta
(
°C)
max
Mass
(g)
Rth (j- )
(
°C/W)
Axial
70
1.0
1.1
1.5
2.0 (3.5)
AG01Y
EG01Y
EG 1Y
RG 10Y
RG 2Y
RG 4Y
1.0
1.1
1.5
3.5
100
500
1000
22
20
17
15
12
8
63
64
65
66
69
0.13
0.2
0.3
0.4
0.6
1.2
25
30
50
100
0.5
2.5
5
100
50
100/100
IF/IFP
(mA)
100/200
1.2
1.1
1.3
–40 to +150
s External Dimensions
Flammability: UL94V-0 or Equivalent (Unit: mm)
50.0
±1.0
2.9
±0.1
2.4±0.1
0.57±0.02
Cathode Mark
62.3
±0.7
5.0
±0.2
2.7±0.2
0.6±0.05
Cathode Mark
62.3
±0.7
5.0
±0.2
2.7±0.2
0.78±0.05
Cathode Mark
62.5
±0.7
7.2
±0.2
4.0±0.2
0.78±0.05
Cathode Mark
50.0
±0.1
1.4±0.1
6.5±0.2
Cathode Mark
8.0
±0.2
62.5
±0.7
7.2
±0.2
4.0±0.2
0.98±0.05
Cathode Mark
25
Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes 70V
t rr
: IF/IR (=IF)
90% Recovery Point
(ex. IF/IR =100mA/100mA 90% Recovery Point)
t rr
: IF/IR (=2 IF) 75% Recovery Point
(ex. IF/IR =100mA/200mA 75% Recovery Point)
1
2
trr
(ns)
1
trr
(ns)
2
Fig.
No.
Page
where
characteristic
curve
is
shown
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EG1Z | Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes(- 400V) |
| EISA9000 | Peripheral IC |
| EISA9010 | Peripheral IC |
| EISA9010BV | Peripheral IC |
| EISA9020 | Peripheral IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EG1YZ | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
| EG1Z | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
| EG1ZZ | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
| EG200 | 制造商:EDI 制造商全稱:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT MINIATURE RECTIFIERS |
| EG200-1-5 | 制造商:Standex 功能描述: |
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