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參數資料
| 型號： | FDB12N50 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
| 中文描述： | N溝道MOSFET的500V，11.5A，0.65ヘ |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | FDB12N50 |
F
FDB12N50
TM
Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
5
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB12N50TM | N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
| FDI12N50 | N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
| FDI12N50TU | N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
| FDB14AN06LA0 | VARISTOR STD 60VRMS 3225 SMD |
| FDP14AN06LA0 | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB12N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ |
| FDB12N50F_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 11.5A, 0.7?? |
| FDB12N50FTM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDB12N50FTM_WS | 功能描述:MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB12N50TM | 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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