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參數資料
| 型號： | FDD603AL |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 33 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | FDD603AL |
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V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
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I
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25
°
C
-55
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C
V = 0V
TJ
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25
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V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
DS
T = 125
°
C
-55
°
C
25
°
C
0
1
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5
0
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40
60
80
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V =10V
8.07.0
6.0
5.0
4.5
4.0
3.0
0
20
40
60
80
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
4.5
5.0
7.0
6.0
8.0
V = 4.0V
10
2
4
6
8
10
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
25
°
C
I = 5A
T = 125
°
C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
R
D
V = 10V
I = 9.5A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6530A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6606 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6612A | N-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDU6612A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6612 | N-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDD6296 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6512A | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6530A | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6530A_Q | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6606 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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