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參數資料
| 型號： | FDD6N50F |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| 中文描述： | N溝道MOSFET的500V，5.5A，1.15ヘ |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | FDD6N50F |
F
FDD6N50F / FDU6N50F Rev. A
www.fairchildsemi.com
5
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6N50FTF | N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50FTM | N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDD6N50TF | 500V N-Channel MOSFET |
| FDD6N50TM | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDD6N50FTF | 功能描述:MOSFET 500V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6N50FTM | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6N50RTF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD6N50TF | 功能描述:MOSFET 500V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6N50TF_WS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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