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參數資料
| 型號： | FDMS3572 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 80V, 22A, 16.5mOHM |
| 中文描述： | 8.8 A, 80 V, 0.029 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, 8 PIN |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 526K |
| 代理商： | FDMS3572 |
F
M
FDMS3572 Rev.C
www.fairchildsemi.com
6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3672 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 22A, 23mohm |
| FDMS5672 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 60V, 22A, 11.5mohm |
| FDMS8660AS | N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET 30V, 49A, 2.1mヘ |
| FDMS8660S | N-Channel PowerTrench SyncFET (30V, 40A, 2.4mOHM) |
| FDMS8670AS | N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDMS3572_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 80V, 22A, 16.5mз |
| FDMS3600S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMS3602S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMS3604AS | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMS3606AS | 功能描述:MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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