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參數資料
| 型號： | FDP55N06 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 55 A, 60 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 1188K |
| 代理商： | FDP55N06 |
5
www.fairchildsemi.com
FDP55N06/FDPF55N06 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FDP55N06
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FDPF55N06
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
* Notes :
1. Z
JC
(t) = 1.1
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
JC
(t)
o
C/W Max.
single pulse
D=0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
(
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
* Notes :
1. Z
JC
(t) = 2.58
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
JC
(t)
o
C/W Max.
single pulse
D=0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
(
t
1
, Square W ave Pulse Duration [sec]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF55N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FDP5645 | CONN RCPT .100 36POS GOLD T/H |
| FDB5645 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET(N溝道PowerTrench MOS場效應管) |
| FDP5800 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDP5N50 | N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDP5645 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP5645_Q | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP5680 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP5680_Q | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP5690 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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