- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375781 > FDS4435 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDS4435 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 8800 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 637K |
| 代理商： | FDS4435 |
F
FDS4435 Rev. D
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
W7,
0(V
HF
7
$
1
6
,(
1
7
7
(
5
0
$
/
5
(
6
,6
7
1
&
(
U
1
2
5
0
$
/
(
'
(
)
)
(
&
7
,9
(
6 LQ JO H3XVH
'
'XW\&\FOH' WW
5 UW5
5
&
:
θ
-$
-$
θ
-$
77
-
35
W
θ
-$
$
3SN
W
W
9
'
6
'5$,1726285&(92/7$*(9
&
$
3
$
&
,7
1
&
(
S
&
,66
&
266
&
566
I 0+]
9
*6
9
4
J
*$7(&+$5*(Q&
9
*
6
*
$
7
6
2
8
5
&
(
9
2
/
*
(
9
,
'
$
9
'6
9
9
9
9
'6
'5$,16285&(92/7$*(9
,
'
'
5
$
,1
&
8
5
5
(
1
7
$
'&
V
V
PV
PV
PV
μ
V
5
'621
/,0,7
9
*6
9
6,1*/(38/6(
5
θ
-$
7
$
R
&:
R
&
6,1*/(38/6(7,0(6(&
3
2
:
(
5
:
6,1*/(38/6(
5
θ
-$
7
$
R
&:
R
&
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4435A | P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET |
| FDS4435BZ | 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS4465 | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDS4470 | 40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS4480 | 40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS4435 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30VP-CH. FET 20 MO SO8 TR :ROHS COMPL |
| FDS4435 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| FDS4435_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS4435_NL | 功能描述:MOSFET P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS4435A | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。