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參數(shù)資料
| 型號： | FDS4435BZ |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 8800 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 637K |
| 代理商： | FDS4435BZ |
F
FDS4435 Rev. D
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| FDS4435BZ-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS4435BZ Series 30 V 20 mOhm SMT P-Channel PowerTrench Mosfet SOIC-8 |
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