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參數資料
型號: FGA25N12ANTD
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: 1200V NPT Trench IGBT
中文描述: 1200伏不擴散核武器條約溝道IGBT
文件頁數: 8/9頁
文件大?。?/td> 861K
代理商: FGA25N12ANTD
8
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. A
F
Mechanical Dimensions
TO-3P
15.60
±
0.20
4.80
±
0.20
13.60
±
0.20
9.60
±
0.20
2.00
±
0.20
3.00
±
0.20
1.00
±
0.20
1.40
±
0.20
3.20
±
0.10
3
±
0
1
±
0
3
±
0
1
±
0
1
±
0
1
±
0
2
±
0
1
±
0
1.50
+0.15
–0.05
0.60
+0.15
–0.05
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
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參數描述
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FGA25S125P 功能描述:IGBT 晶體管 Shorted Anode IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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