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參數資料
| 型號： | FKPF12N60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| 中文描述： | 600 V, 12 A, TRIAC, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | FKPF12N60 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, December 2002
F
Typical Curves
(Continues)
Figure 7. Allowable Ambient Temperature
vs Rms On-state Current
Figure 8. Allowable Case Temperature
vs Rms On-state Current
Figure 9. Maximum On-state Power Dissipation
Figure 10. Repetitive Peak Off-state Current
vs Junction Temperature
Figure 11. Holding Current vs
Junction Temperature
Figure 12. Laching Current vs
Junction Temperature
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
120
140
①
NO HEAT SINK
②
30
×
30
×
2
㎜
AL HEAT SINK
③
50
×
50
×
2
㎜
AL HEAT SINK
④
70
×
70
×
2
㎜
AL HEAT SINK
⑤
100
×
100
×
2
㎜
AL HEAT SINK
⑤
④
③
②
①
M
℃
]
I
T(RMS)
[A]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
20
40
60
80
100
120
140
160
360
°
CONDUCTION
RESISTIVE,
INDUCTIVE
LOAD
CURVES APPLY REGARDLESS
OF CONDUCTION ANGLE
C
℃
]
RMS ON-STATE CURRENT [A]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
360
°
CONDUCTION
RESISTIVE,
INDUCTIVE
LOAD
O
RMS ON-STATE CURRENT [A]
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
2
10
3
10
4
10
5
TYPICAL EXAMPLE
N
JUNCTION TEMPERATURE [V]
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
1
00
1
20
1
40
1
0
1
00
1
000
TYPICAL EXAMPLE
N
JUNCTION TEMPERATURE [
℃
]
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
1
00
1
20
1
40
1
1
0
1
00
1
000
T2(+), G(-) TYPICAL EXEMPLE
T2(
±
), G(+) TYPICAL EXEMPLE
L
JUNCTION TEMPERATURE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FKPF12N80 | Application Explanation |
| FKPF2N80 | Header; No. of Contacts:8; Pitch Spacing:2.54mm; No.of Rows:2; |
| FKPF3N80 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKPF5N80 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKPF8N80 | Switching mode power supply, light dimmer, electric flasher unit, hair drier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FKPF12N80 | 功能描述:雙向可控硅 Triode Thyristor Si Bidirectional Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKPF12N80 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Triac |
| FKPF12N80YDTU | 功能描述:雙向可控硅 Bi-Di Triode Thyristor Planar Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKPF2N80 | 功能描述:雙向可控硅 Bi-Dir Triode Thyristor Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKPF3N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
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