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參數資料
| 型號： | FKPF2N80 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Header; No. of Contacts:8; Pitch Spacing:2.54mm; No.of Rows:2; |
| 中文描述： | 800 V, 2 A, TRIAC, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | FKPF2N80 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, April 2004
F
Typical Curves
(Continues)
Figure 7. Allowable Ambient Temperature
vs Rms On-state Current
Figure 8. Maximum On-state Power Dissipation
Figure 9. Repetitive Peak Off-state Current
vs Junction Temperature
Figure 10. Holding Current vs
Junction Temperature
Figure 11. Breakover Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Gate Trigger Current vs
Gate Current Pulse Width
0.00
0.25
0.50
RMS ON-STATE CURRENT [A]
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0
20
40
60
80
100
120
140
NO HEAT SINK
PRINT BOARD
t=1.6mm
SOLDER LAND : 2mm
Φ
A
o
C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
RMS ON-STATE CURRENT [A]
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
O
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
2
10
3
10
4
10
5
TYPICAL EXAMPLE
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
100
1000
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TYPICAL EXAMPLE
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
1
10
100
10
100
1000
I
Ⅲ
I
Ⅱ
I
Ⅰ
N
GATE CURRENT PULSE WIDTH [
μ
s]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FKPF3N80 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FKPF3N80TU | 功能描述:雙向可控硅 NPNP 00V/2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKPF5N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKPF5N80TU | 功能描述:雙向可控硅 800V/5A/TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKPF8N80 | 功能描述:雙向可控硅 Triode Thyristor Si Bidirectional Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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