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參數資料
| 型號： | FS10KMJ-3 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| 中文描述： | 高速開關使用 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | FS10KMJ-3 |
Feb.1999
FS10KMJ-3
OUTLINE DRAWING
Dimensions in mm
TO-220FN
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS10KMJ-3
HIGH-SPEED SWITCHING USE
APPLICATION
Motor control, Lamp control, Solenoid control
DC-DC converter, etc.
V
V
A
A
A
A
A
W
°
C
°
C
V
g
150
±
20
10
40
10
10
40
25
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2.0
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
L = 100
μ
H
AC for 1minute, Terminal to case
Typical value
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain current (Pulsed)
Avalanche drain current (Pulsed)
Source current
Source current (Pulsed)
Maximum power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Isolation voltage
Weight
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
stg
V
iso
—
Symbol
MAXIMUM RATINGS
(Tc = 25
°
C)
Parameter
Conditions
Ratings
Unit
4V DRIVE
V
DSS ................................................................................
150V
r
DS (ON) (MAX) ...........................................................
160m
I
D .........................................................................................
10A
Integrated Fast Recovery Diode (TYP.)
.............
90ns
V
iso ................................................................................
2000V
1
±
1
±
10
±
0.3
2.8
±
0.2
f
3.2
±
0.2
1.1
±
0.2
1.1
±
0.2
0.75
±
0.15
2.54
±
0.25
2.54
±
0.25
2
±
4
±
0.75
±
0.15
3
±
3
±
6
±
1 2 3
q
GATE
w
DRAIN
e
SOURCE
E
w
q
e
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS10KMJ-3 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS10KM | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS10KM-3 | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS10KMH-03 | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS10KM | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FS10R06VE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS10R06VE3_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 EASYPACK 750 15.0A 1.55V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS10R06VL4_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS10R06VL4B2 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Module IGBT-modules |
| FS10R06XL4 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 17A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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