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參數資料
型號: FS10R12VT3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT-Module IGBT-modules
中文描述: 16 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-11
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 643K
代理商: FS10R12VT3
1
Technische Information / technical information
FS10R12VT3
IGBT-Module
IGBT-modules
Vorl
ufige Daten / preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
H
chstzul
ssige Werte / maximum rated values
Charakteristische Werte / characteristic values
相關PDF資料
PDF描述
FS10R12YT3 IGBT-Module IGBT-modules
FS10SM-10 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS10SM-10 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS10SM-12 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS10SM-12 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
相關代理商/技術參數
參數描述
FS10R12YE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS10R12YT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS10-RL-K4 制造商:SENSOPART 功能描述:SENSOR THRU BEAM TRANSMITTER LASER
FS10RM18A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR
FS10SM06 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR