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參數資料
| 型號： | FZ1200R17KF6CB2 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| 中文描述： | 1950 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | FZ1200R17KF6CB2 |
Technische Information / Technical Information
FZ 1200 R 17 KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
T
vj
= 25°C
V
CES
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 80 °C
I
C,nom.
1200
A
T
C
= 25 °C
I
C
1950
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C
I
CRM
2400
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25°C, Transistor
P
tot
9,6
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
1200
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
I
FRM
2400
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
380
kA
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 1200A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
V
CE sat
2,6
3,1
V
I
C
= 1200A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
3,1
3,6
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 80mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
14,5
μC
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
79
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
4
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
CES
5
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
400
nA
prepared by: A. Wiesenthal
date of publication: 05.04.2001
approved by: Christoph Lübke; 12.04.2001
revision: 1 (preliminary)
1(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZ1200R17KF6B2 | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
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| FZ1200R33KF2-B5 | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| FZ1600R12KE3 | IGBT-Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FZ1200R17KF6C-B2 | 功能描述:IGBT 模塊 1700V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ1200R17KF6CB2V | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
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| FZ1200R33KF1 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| FZ1200R33KF2 | 功能描述:IGBT 模塊 U 641-FZ1200R33KF2C RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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