- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375993 > FZ1600R17KF6B2 (EUPEC) Hochstzulassige Werte / Maximum rated values PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FZ1600R17KF6B2 |
| 廠商： | EUPEC |
| 英文描述： | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| 中文描述： | Hochstzulassige話高潮/最大額定值 |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | FZ1600R17KF6B2 |
Technische Information / Technical Information
FZ 1600 R 17 KF6 B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 80 °C
I
C,nom.
1600
A
T
C
= 25 °C
I
C
3200
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C
I
CRM
3200
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25°C, Transistor
P
tot
12,5
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
1600
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
I
FRM
3200
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
980
kA
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 1600A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
V
CE sat
2,6
3,1
V
I
C
= 1600A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
3,1
3,6
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 130mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
19
μC
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
105
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
5,3
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
CES
0,04
3
mA
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
20
160
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
400
nA
prepared by: Oliver Schilling
date of publication: 4.9.1999
approved by: Chr. Lübke; 11.10.99
revision: 2 (Serie)
1(8)
FZ1600R17KF6B2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZ1800R12KL4C | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| FZ300R12KE3G | Technische Information / technical information |
| FZ400R12KS4 | IGBT-Module / IGBT-inverter |
| FZ400R65KF1 | IGBT-Module |
| FZ600R65KF1 | IGBT-Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZ1600R17KF6C | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Modules |
| FZ1600R17KF6C_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 2.6KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ1600R17KF6CB2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| FZ1612 | 制造商:ENERPAC 功能描述:FEMALE TEE 3/8 NPT |
| FZ1652 | 制造商:BACO Controls Inc 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。