| 型號: | FZT1047A |
| 廠商: | ZETEX PLC |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | RES 3.65K 1% 0603 |
| 中文描述: | 5 A, 10 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝: | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數: | 1/4頁 |
| 文件大小: | 120K |
| 代理商: | FZT1047A |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT1048A | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
| FZT1049A | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
| FZT1053 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
| FZT1053A | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
| FZT1147A | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FZT1047ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT1047ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT1048A | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER |
| FZT1048ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT1048ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |