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參數資料
| 型號： | GMBTA56 |
| 廠商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | PNP SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨硅晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | GMBTA56 |
1/2
G
G M
M B
B T
TA
A5566
P
P N
N P
P S
S II LL II C
C O
O N
N T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GMBTA56 is amplifier applications.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
2.70
3.10
G
1.90 REF.
B
2.40
2.80
H
1.00
1.30
C
1.40
1.60
K
0.10
0.20
D
0.35
0.50
J
0.40
-
E
0
0.10
L
0.85
1.15
F
0.45
0.55
M
0 C
10 C
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Collector to Base Voltage
VCBO
-80
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
-80
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
-4
V
Collector Current
IC
-500
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
-80
-
V
IC=-100uA , IE=0
BVCEO
-80
-
V
IC=-1mA, IB=0
BVEBO
-4
-
V
IE=-100uA, IC=0
ICBO
-
-100
nA
VCB=-80V, IE=0
ICEO
-
-100
nA
VCE=-60V
VCE(sat)
-
-250
mV
IC=-100mA, IB=-10mA
VBE(on)
-
-1.2
V
VCE=-1V, IC=-100mA
HFE1
50
-
VCE=-1V, IC=-10mA
HFE2
50
VCE=-1V, IC=-100mA
fT
100
-
MHz
VCE=-2V, IC=-10mA, f=1MHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GMBTA64 | PNP SILICON TRANSISTOR |
| GMBTH10 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMCT14F0E100JC | 14 CONTACT(S), FEMALE, MULTIWAY RACK AND PANEL CONN |
| GMDE137P-CMI4K1-18X | 37 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, CRIMP |
| GMDE137P-CMI4K1-18Y | 37 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, CRIMP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GMBTA64 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA92 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBTA94 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBTH10 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMB-U75 | 制造商:ADVANTECH 制造商全稱:Advantech Co., Ltd. 功能描述:AMD?? R-series Multi-display System |
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