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參數資料
| 型號： | HZS30NB1 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 27.69 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| 封裝： | MHD, 2 PIN |
| 文件頁數： | 7/7頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | HZS30NB1 |
HZS-N Series
Package Dimensions
2
Abbreviation of type name
Type name
without HZS
N.
Zener voltage
classification
symbol equal
to B1 or B3.
Expanded drawing of marking
26.0 Min
2.4 Max
2.0
Max
0.4
φ
26.0 Min
Cathode band (Black)
Type No. (Black)
2
B
7.5
B
7.5
12
HITACHI Code
JEDEC Code
EIAJ Code
Weight (g)
MHD
DO-34
—
0.084
1
2
Cathode
Anode
Unit: mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS30NB4 | 29.585 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| HZS33NB3 | 31.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| HZS36NB3 | 34.265 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| HZS39NB1 | 35.575 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| HZS39NB4 | 37.575 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HZS30NB2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS30N-B2(TD-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HZS30NB3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS30N-B3(TD-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HZS30NB4 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
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