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參數資料
| 型號： | IRFP450LC |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 500V,14A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(500V,14A,N溝道 HEXFET功率MOS場效應管) |
| 中文描述： | 的500V，14A條，N溝道HEXFET功率MOSFET（500V及14A條，?溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應管） |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | IRFP450LC |
IRFP450LC
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
VGS = 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGPC30KD2 | |
| IRGPC40K | |
| IRGPC40KD2 | |
| IRGPC46 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247AC |
| IRGPC50 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 55A I(C) | TO-247AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFP450LCPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP450N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AC |
| IRFP450NPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP450PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP450PBF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET |
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