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參數資料
| 型號： | IS62C1024AL-35Q |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 423K |
| 代理商： | IS62C1024AL-35Q |
Integrated Circuit Solution Inc.
7
SR016-0B
IS62C1024
WRITE CYCLE NO. 2 (
CE1
, CE2 Controlled)
(1,2)
DATA UNDEFINED
LOW
t
WC
VALID ADDRESS
t
PWE1
t
AW
t
HA
HIGH-Z
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
WE
D
OUT
D
IN
OE
DATA
IN
VALID
t
LZWE
t
SD
Notes:
1. The internal write time is defined by the overlap of
CE1
LOW, CE2 HIGH and
WE
LOW. All signals must be in valid states to
initiate a Write, but any one can go inactive to terminate the Write. The Data Input Setup and Hold timing are referenced to the
rising or falling edge of the signal that terminates the Write.
2. I/O will assume the High-Z state if
OE
= V
IH
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62C1024AL-35QI | 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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| IS62C1024AL-35TLI | 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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