
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| JAN1N962C-1 | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| JAN1N962CUR-1 | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| JAN1N962D | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| JAN1N962DUR-1 | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| JAN1N963 | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| JAN1N962C-1 | 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):9.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 |
| JAN1N962CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):9.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 |
| JAN1N962D-1 | 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):9.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 |
| JAN1N962DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):9.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 |
| JAN1N963B | 制造商: 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |