
Semiconductor Group
1
1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
G
Sehr enger Abstrahlwinkel
G
GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
G
Hohe Zuverlssigkeit
G
Hohe Impulsbelastbarkeit
G
Gruppiert lieferbar
G
Gehusegleich mit SFH 484
Anwendungen
G
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerten
Features
G
Extremely narrow half angle
G
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
G
High reliability
G
High pulse handling capability
G
Available in groups
G
Same package as SFH 484
Applications
G
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers,
of various equipment
LD 274
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
2
s
7.8
7.5
9.0
8.2
5.7
5.1
29
27
1.8
1.2
0
0
Area not flat
0.6
0.4
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
Chip position
GEX06260
Approx. weight 0.5 g
f
1)
Nur auf Anfrage lieferbar.
1)
Available only on request.
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
5-mm-LED-Gehuse (T 1
3
/
4
), graugetntes Epoxy-
Gieharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Ltspie, flat
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode
marking: shorter solder lead, flat
LD 274
Q62703-Q1031
LD 274-2
1)
Q62703-Q1819
LD 274-3
Q62703-Q1820