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MCH6336-P-TL-E

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • MCH6336-P-TL-E
    MCH6336-P-TL-E

    MCH6336-P-TL-E

    現貨
  • 集好芯城
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    聯系人：陳先生13360533550

    電話：0755-838679890755-82795565

    地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F

    資質：營業執照

  • 50000

  • SANYO

  • SOT-363

  • 26+

  • -

  • 原裝原廠正品現貨

  • MCH6336-P-TL-E
    MCH6336-P-TL-E

    MCH6336-P-TL-E

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人：李先生

    電話：13760200702

    地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質：營業執照

  • 1616

  • SANYO

  • SOT-363

  • 假一賠十！

  • -

  • 絕對原裝現貨??！

  • MCH6336-P-TL-E
    MCH6336-P-TL-E

    MCH6336-P-TL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

  • SOT-363

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • MCH6336-P-TL-E
    MCH6336-P-TL-E

    MCH6336-P-TL-E

  • 甄芯網
    甄芯網

    聯系人：柯先生/趙小姐

    電話：0755-83665813

    地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B

    資質：營業執照

  • 3500

  • SANYO

  • SOT23-6

  • 2010+

  • -

  • 原裝無鉛

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
MCH6336-P-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
MCH6336-P-TL-E 技術參數
  • MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:225mV @ 15mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:375mV @ 15mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:450MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH5837-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式），邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:145 毫歐 @ 1A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.8nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:115pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD（5引線），扁引線 供應商器件封裝:5-MCPH 標準包裝:1 MCH4009-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.5V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:4-MCPH 標準包裝:1 MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 900mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標準包裝:1 MCH6342-TL-H MCH6342-TL-W MCH6344-TL-H MCH6344-TL-W MCH6351-TL-W MCH6353-TL-W MCH6412-TL-E MCH6421-TL-E MCH6421-TL-W MCH6429-TL-E MCH6431-P-TL-H MCH6431-TL-H MCH6431-TL-W MCH6436-TL-E MCH6436-TL-W MCH6437-P-TL-E MCH6437-TL-E MCH6437-TL-W
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