| 型號: | MA3J7000G |
| 廠商: | PANASONIC CORP |
| 元件分類: | 射頻混頻器 |
| 英文描述: | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 封裝: | ROHS COMPLIANT, SMINI2-F2, 2 PIN |
| 文件頁數: | 1/4頁 |
| 文件大小: | 234K |
| 代理商: | MA3J7000G |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA40190M-276 | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE |
| MA40180M-276 | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, K BAND, MIXER DIODE |
| MA40182M-276 | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, KU BAND, MIXER DIODE |
| MA46585/B | KA BAND, 0.5 pF, 18 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA46580/A | KA BAND, 0.5 pF, 18 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MA3J702 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA3J70200L | 功能描述:DIODE SCHOTT 20V 500MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA3J741 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA3J74100L | 功能描述:DIODE SCHOTT 30V 30MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA3J7410GL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |