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參數資料
| 型號： | P0111DA |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 0.8A SCRs |
| 中文描述： | 0.8A可控硅 |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 177K |
| 代理商： | P0111DA |
P01 Series
5/6
Fig. 10:
On-state characteristics (maximum
values).
Fig. 11:
SOT-223 Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface under tab (Epoxy
printed circuit board FR4, copper thickness:
35
μ
m).
ITM(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
VTM(V)
Rth(j-a) (°C/W)
S (cm )
2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-92 (Plastic)
D
F
a
E
B
A
C
REF.
DIMENSIONS
Millimeters
Inches
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
A
B
C
D
E
F
a
1.35
0.053
4.70
0.185
2.54
0.100
4.40
12.70
0.173
0.500
3.70
0.50
0.146
0.019
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P0111DA1AA3 | 0.8A SCRs |
| P0111MA | 0.8A SCRs |
| P0111MA1AA3 | 0.8A SCRs |
| P0111MA2AL3 | 0.8A SCRs |
| P0111MN | 0.8A SCRs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| P0111DA 1AA3 | 功能描述:SCR 0.8 Amp 400 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| P0111DA 5AL3 | 功能描述:SCR THYRISTOR TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| P0111DA1AA3 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTOR 0.8A 400V TO-92 |
| P0111DA2AL3 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:0.8A SCRs |
| P0111DA5AA4 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:0.8A SCRs |
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