- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄367635 > P0903BSG (Electronic Theatre Controls, Inc.) N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | P0903BSG |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強模式的邏輯電平場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 363K |
| 代理商： | P0903BSG |
1
Jun-29-2004
N-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor
P0903BSG
TO-263 (D
2
PAK)
Lead-Free
NIKO-SEM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
UNITS
Gate-Source Voltage
V
GS
±20
V
T
C
= 25 °C
50
Continuous Drain Current
T
C
= 100 °C
I
D
35
Pulsed Drain Current
1
I
DM
200
Avalanche Current
I
AR
40
A
Avalanche Energy
L = 0.1mH
E
AS
250
Repetitive Avalanche Energy
2
L = 0.05mH
E
AR
8.6
mJ
T
C
= 25 °C
50
Power Dissipation
T
C
= 100 °C
P
D
30
W
Operating Junction & Storage Temperature Range
T
j
, T
stg
-55 to 150
Lead Temperature (
1
/
16
” from case for 10 sec.)
T
L
275
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
Junction-to-Case
R
θ
JC
2.5
Junction-to-Ambient
R
θ
JA
62.5
Case-to-Heatsink
R
θ
CS
0.6
°C / W
1
Pulse width limited by maximum junction temperature.
2
Duty cycle
≤
1
％
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25 °C, Unless Otherwise Noted)
LIMITS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX
UNIT
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0V, I
D
= 250
μ
A
25
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
1
1.6
3
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
±250
nA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
25
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V, T
C
= 125 °C
250
μ
A
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
R
DS(ON)
I
D
25
9.5m
Ω
50A
G
D
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P1-41 | AMPLIFIER OUTPUT PHOTO IC |
| P1-42 | AMPLIFIER OUTPUT PHOTO IC |
| P1-43 | AMPLIFIER OUTPUT PHOTO IC |
| P1-45 | AMPLIFIER OUTPUT PHOTO IC |
| P1-55 | MCU CMOS 18 LD LOW PWR, 0C to +70C, 18-SOIC 300mil, TUBE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| P0904U_L | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Mutiport SIDAtor |
| P0904UALRP | 功能描述:硅對稱二端開關元件 50A 75/150V RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P0904UALTP | 功能描述:硅對稱二端開關元件 50A 75/150V RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P0904UALXX | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:SIDACtor? Multiport Series MS-013 are designed to protect baseband equipment |
| P0904UARP | 功能描述:硅對稱二端開關元件 50A 75/150V RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。