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參數資料
| 型號： | P6SMBJ510C |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封裝： | SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | P6SMBJ510C |
Part:
Series:
Technology:Silicon Avalanche Diode (SADs)
P6SMBJ510C
600W Surface Mount TVS Diode - P6SMBJ Series
PARAMETERS
Package Type
Pkg Type
Surface Mount
Mount Method
Mount
Surface Mount
Maximum Reverse Leakage Current
I
R
5.00
Maximum Temperature
Max Temp (°C )
150.00
Standoff Polarity
Polarity
Bipolar
Tolerance
Tolerance
10
Breakover Voltage
V
BO
MIN (V)
0.00
Maximum Breakover Voltage
V
BO
MAX (V)
0.00
On-state forward Voltage
V
F
(V)
0.00
Minimum Foldback Voltage
V
FB
0.00
Reverse Standoff Voltage
V
SO
434.00
Device Wattage
Watts
600
AC Working Voltage
VAC
245
Reverse Stand-off Voltage
V
R
(V)
434.00
Breakdown Voltage @ I<sub>T</sub>
V
BR
MIN (V)
485.00
Breakdown Voltage @ I<sub>T</sub>
V
BR
MAX (V)
535.00
Test Current
I
T
(mA)
1.00
Clamping Voltage
V
CL
@ I
PP
(μA)
698.00
Peak Pulse Current
I
PP
10x1000(A)
0.90
Peak Pulse Current
I
PP
8x20 (A)
Max Capacitance
C TYP (pF)
0
Working Inverse Blocking Voltage
V
WIB
(V)
0.00
Inverse Blocking Leakage Current
I
IB
@ V
WIB
(μA)
0.00
Peak Inverse Blocking Voltage
V
PIB
(V)
0.00
Peak Pulse Current
I
PP
(A)
0.90
Minimum Zener Voltage @ I<sub>Z</sub>
V
Z
MIN (V)
0.00
Maximum Zener Voltage @ I<sub>Z</sub>
V
Z
MAX (V)
0.00
Zener Current
I
Z
(A)
0.00
Zener Resistance
Resistance (Ohms)
0.00
Peak Pulse Power - 10x1000μs
P
PP
10x1000μs (W)
600
Peak Pulse Power - 8x20μs
P
PP
8x20μs (W)
0
Peak Pulse Power - 10x160μs
P
PP
10x160μs (W)
0
Battery/System Voltage 12/14
Volt 12/14
Battery/System Voltage 24/28
Volt 24/28
Battery/System Voltage 36/42
Volt 36/42
PROTECTS AGAINST:
Lightning Transients
Telecom - DC Power
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P6SMBJ540C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| P6SMBJ7.5C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| P7T-201 | PULSE TRANSFORMER FOR ISDN APPLICATION(S) |
| PA0367 | SMPS TRANSFORMER |
| PA04A | OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, MDFM12 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| P6SMBJ510CA | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 434Vso 485Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| P6SMBJ51A | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 43.6Vso 48.5Vbr 8.6A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| P6SMBJ51C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 38.1Vso 42.3Vbr 8.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| P6SMBJ51CA | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 40.2Vso 44.7Vbr 9.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| P6SMBJ530 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 477Vso 503.5Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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