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參數資料
| 型號： | STB9K62PR |
| 廠商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
| 英文描述： | 9000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | STB9K62PR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SB330 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SBAV99LT3 | 0.215 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| SMBG16CA/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG24/51 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG40/5B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STB9NB50 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB9NB50T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-263AB |
| STB9NB60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 0.7ohm - 9A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET |
| STB9NB60-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA |
| STB9NB60T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
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