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參數資料
| 型號： | THS4215DRB |
| 廠商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分類： | 音頻／視頻放大 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| 封裝： | PLASTIC, MSOP-8 |
| 文件頁數： | 20/40頁 |
| 文件大小： | 1013K |
| 代理商： | THS4215DRB |
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THS4211
THS4215
SLOS400C SEPTEMBER 2002 REVISED JANUARY 2004
www.ti.com
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increases. For a single package, the sum of the RMS
output currents and voltages should be used to choose the
proper package.
THERMAL ANALYSIS
The THS4211 device does not incorporate automatic
thermal shutoff protection, so the designer must take care
to ensure that the design does not violate the absolute
maximum junction temperature of the device. Failure may
result if the absolute maximum junction temperature of
150
_ C is exceeded.
The thermal characteristics of the device are dictated by
the package and the PC board. Maximum power
dissipation for a given package can be calculated using the
following formula:
P
Dmax +
Tmax–TA
q
JA
where
PDmax is the maximum power dissipation in the amplifier (W).
Tmax is the absolute maximum junction temperature (°C).
TA is the ambient temperature (°C).
θJA = θJC + θCA
θJC is the thermal coefficient from the silicon junctions to the
case (
°C/W).
θCA is the thermal coefficient from the case to ambient air
(
°C/W).
For systems where heat dissipation is more critical, the
THS4211 is offered in an 8-pin MSOP with PowerPAD.
The thermal coefficient for the MSOP PowerPAD package
is substantially improved over the traditional SOIC.
Maximum power dissipation levels are depicted in the
graph for the two packages.
The data for the DGN
package assumes a board layout that follows the
PowerPAD layout guidelines referenced above and
detailed in the PowerPAD application notes in the
Additional Reference Material section at the end of the
data sheet.
2
1.5
1
0
40
20
0
20
Maximum
Power
Dissipation
W
2.5
3
3.5
40
60
80
TA Ambient Temperature °C
P
D
8-Pin DGN Package
θJA = 170°C/W for 8-Pin SOIC (D)
θJA = 58.4°C/W for 8-Pin MSOP (DGN)
TJ= 150°C, No Airflow
Figure 91. Maximum Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0.5
8-Pin D Package
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| THS4215DG4 | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4215DGNR | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4215DGN | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4215DRBR | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4215DR | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| THS4215DRBR | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultr-Lo- Distortion Hi-Speed RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| THS4215DRBRG4 | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultr-Lo- Distortion Hi-Speed RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| THS4215DRBT | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultr-Lo- Distortion Hi-Speed RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| THS4215DRBTG4 | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultr-Lo- Distortion Hi-Speed RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| THS4215DRG4 | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultr-Lo- Distortion Hi-Speed RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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