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參數資料
| 型號： | TN6517 |
| 元件分類： | 放大器 |
| 英文描述： | 5 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | SM3, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 633K |
| 代理商： | TN6517 |
SPECTRUM MICROWAVE 2144 Franklin Drive N.E. Palm Bay, Florida 32905 Phone: (888) 553-7531 Fax: (888) 553-7532
SPECTRUM CONTROL GmbH Hansastrasse 6 91126 Schwabach, Germany Phone: (49)-9122-795-0 Fax: (49)-9122-795-58
290
www.specwave.com
RF Amplifier
High Gain: 22.5 dB
Model TM6517
5 to 500 MHz
(see Appendix)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN9133 | 10 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| TN9137PM | 10 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| TN9311 | 5 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| TN9318PM | 10 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| TN9510PM | 10 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TN6705A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif 60V SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN6705A_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif 60V SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN6705A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Dbl-Dif 60V SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN6707A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V NPN Center Collector RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN6707A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V NPN Center Collector RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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