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參數資料
| 型號： | TT92N |
| 英文描述： | SCR / Diode Modules |
| 中文描述： | SCR /二極管模塊 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 391K |
| 代理商： | TT92N |
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT92N
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
A8/02
1/12
Seite/page
Kenndaten
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
TT92N
TD92N
DT92N
TT92N..K..-K
TD92N..K..-A
NT92N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
1200
1400
1600
V
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DSM
1200
1400
1600
V
V
Rückwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RSM
1300
1500
1700
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM
160 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85°C
T
C
= 76°C
I
TAVM
92
104
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
TSM
2050
1800
A
A
Grenzlastintegral
I2t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/μs
I2t
21000
16200
A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(di
T
/dt)
cr
150 A/μs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/μs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 300 A
v
T
max.
1,62 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,85 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
2,15 m
Zündstrom
gate trigger current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
I
GT
max.
120 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
V
GT
max.
1,4 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
5,0
2,5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max.
200 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
GK
≥
10
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/μs,
t
g
= 20 μs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
I
L
max.
620 mA
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
i
D
, i
R
max.
25 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6 T
vj
= 25 °C,
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/μs
t
gd
max.
3 μs
prepared by: C.Drilling
date of publication:
09.07.02
approved by: J. Novotny
revision:
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TTB2C70N06KOC | THYRISTOR MODULE|BRIDGE|FULLY-CNTLD|600V V(RRM)|70A I(T) |
| TDB2HKF70N06KOC | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| TDB2HKF70N08KOC | THYRISTOR MODULE|BRIDGE|HALF-CNTLD|800V V(RRM)|75A I(T) |
| TDB2HKF70N10KOC | THYRISTOR MODULE|BRIDGE|HALF-CNTLD|1KV V(RRM)|75A I(T) |
| TDB2HZ70N10KOC | THYRISTOR MODULE|BRIDGE|HALF-CNTLD|1KV V(RRM)|70A I(T) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TT92N08KOF-K | 功能描述:SCR模塊 PCT 800V 92A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| TT92N10KOF | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| TT92N12KOF | 功能描述:分立半導體模塊 1200V 160A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT92N12KOFB4 | 功能描述:分立半導體模塊 1200V 160A DUAL REVERSE CATHODE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT92N12KOF-K | 功能描述:SCR PCT 1200V 92A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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