- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄363880 > W29EE012 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W29EE012 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, UUC |
| 封裝： | DIE |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/19頁(yè) |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | W29EE012 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)當(dāng)前第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)
W29EE012
Publication Release Date: March 26, 2002
- 11 -
Revision A3
Read Cycle Timing Parameters
(V
DD
= 5.0V
±
10
%
, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM.
W29EE012
UNIT
MIN.
MAX.
Read Cycle Time
T
RC
150
-
nS
Chip Enable Access Time
T
CE
-
150
nS
Address Access Time
T
AA
-
150
nS
Output Enable Access Time
T
OE
-
70
nS
#CE Low to Active Output
T
CLZ
0
-
nS
#OE Low to Active Output
T
OLZ
0
-
nS
#CE High to High-Z Output
T
CHZ
-
45
nS
#OE High to High-Z Output
T
OHZ
-
45
nS
Output Hold from Address Change
T
OH
0
-
nS
Byte/Page-Write Cycle Timing Parameters
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Write Cycle (Erase and Program)
T
WC
-
-
10
mS
Address Setup Time
T
AS
0
-
-
nS
Address Hold Time
T
AH
50
-
-
nS
#WE and #CE Setup Time
T
CS
0
-
-
nS
#WE and #CE Hold Time
T
CH
0
-
-
nS
#OE High Setup Time
T
OES
10
-
-
nS
#OE High Hold Time
T
OEH
10
-
-
nS
#CE Pulse Width
T
CP
70
-
-
nS
#WE Pulse Width
T
WP
70
-
-
nS
#WE High Width
T
WPH
150
-
-
nS
Data Setup Time
T
DS
50
-
-
nS
Data Hold Time
T
DH
10
-
-
nS
Byte Load Cycle Time
T
BLC
0.22
-
200
μ
S
μ
S
Byte Load Cycle Time-out
T
BLCO
300
-
-
Note: All AC timing signals observe the following guidelines for determining setup and hold times:
(a) High level signal's reference level is V
IH
and (b) low level signal's reference level is V
IL
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29EE512Q-70 | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512Q-70B | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512Q-90 | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512Q-90B | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512P-12 | Multiple Conductor Wire; Number of Conductors:4; Conductor Size AWG:20; No. Strands x Strand Size:7 x 28; Approval Categories:UL NEC/CUL,CEC; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W29EE512 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29EE512-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29EE512-90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29EE512P-12 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。