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參數資料
| 型號： | W29EE512Q-90 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 64K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| 封裝： | VSOP1-32 |
| 文件頁數： | 14/22頁 |
| 文件大小： | 295K |
| 代理商： | W29EE512Q-90 |
W29EE512
- 14 -
Timing Waveforms, continued
#CE Controlled Write Cycle Timing Diagram
High Z
Data Valid
Internal write starts
#CE
#OE
#WE
DQ7-0
T
AS
T
AH
T
WC
T
CPH
T
OEH
T
DH
T
DS
T
CP
T
OES
Address A15-0
Page Write Cycle Timing Diagram
Address A15-0
Byte 0
Byte 1
Byte 2
Byte N-1
Byte N
Internal write starts
DQ7-0
#CE
#OE
#WE
T
WC
T
BLC
T
WPH
T
WP
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29EE512Q-90B | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512P-12 | Multiple Conductor Wire; Number of Conductors:4; Conductor Size AWG:20; No. Strands x Strand Size:7 x 28; Approval Categories:UL NEC/CUL,CEC; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes |
| W29EE512P-12B | Shielded Paired Cable; Number of Conductors:4; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Shielding Material:Foil; Shielding Coverage:100%; Number of Pairs:2; Leaded Process Compatible:Yes; Approval Bodies:UL RoHS Compliant: Yes |
| W29EE512T-90 | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512P-90 | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W29EE512Q-90B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512S-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29EE512S-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29EE512S-90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29EE512T-12 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
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