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參數資料
| 型號： | W39F010P-70Z |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128K 】 8 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PQCC32 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數： | 19/33頁 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | W39F010P-70Z |
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W39F010
Publication Release Date: December 26, 2005
- 19 -
Revision A4
8. DC CHARACTERISTICS
8.1 Absolute maximum Ratings
PARAMETER
RATING
-2.0 to +7.0
0 to +70
UNIT
V
°
C
°
C
V
V
Power Supply Voltage to V
SS
Potential
Operating Temperature
Storage Temperature
Voltage on Any Pin to Ground Potential Except A9
Voltage on A9 Pin to Ground Potential
-65 to +125
-2.0 to +7.0
-2.0 to +13.0
Note
: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute maximum Ratings may adversely affect the life and reliability
of the device.
8.2 DC Operating Characteristics
(V
DD
= 5V
±
0.5V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
LIMITS
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN. TYP.
MAX.
UNIT
Power Supply Current
I
DD
#CE = #OE = V
IL
, #WE = V
IH
,
all DQs open
Address inputs = V
IL
/V
IH
, at f = 5 MHz
-
15
30
mA
Standby V
DD
Current (TTL input)
I
SB
1
#CE = V
IH
, all DQs open
Other inputs = V
IL
/V
IH
-
1
2
mA
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
I
SB
2
#CE = V
DD
-0.3V, all DQs open
Other inputs = V
DD
-0.3V/ V
SS
-
15
50
μ
A
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
= V
SS
to V
DD
-
-
1
μ
A
Output Leakage
Current
I
LO
V
OUT
= V
SS
to V
DD
-
-
1
μ
A
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.3
-
0.8
V
Input High Voltage
V
IH
-
2.0
-
V
DD
+0.5
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 2.1 mA
-
-
0.45
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -0.4 mA
2.4
-
-
V
8.3 Pin Capacitance
(V
DD
= 5V, T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0V
6
8
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0V
10
12
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| W39F010Q-90B | 128K 】 8 CMOS FLASH MEMORY |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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