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參數資料
| 型號： | W39V040CQ |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH LPC INTERFACE |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 3.3V PROM, 11 ns, PDSO32 |
| 封裝： | STSOP-32 |
| 文件頁數： | 19/36頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | W39V040CQ |
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W39V040C
Publication Release Date: Apr. 11, 2006
- 19 -
Revision A1
10. ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10.1 Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
RATING
UNIT
Operating Temperature
0 to +70
°
C
Storage Temperature
-65 to +150
°
C
Power Supply Voltage to V
SS
Potential
D.C. Voltage on Any Pin to Ground Potential
-0.5 to +4.0
-0.5 to V
DD
+0.5
V
V
V
PP
Voltage
-0.5 to +13
V
Transient Voltage (<20 nS) on Any Pin to Ground Potential
-1.0 to V
DD
+0.5
V
Note:
Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings May adversely affect the life and reliability
of the device.
10.2 Programmer interface Mode DC Operating Characteristics
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
LIMITS
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN. TYP.
MAX.
UNIT
Power Supply
Current
Icc
In Read or Write mode, all DQs open
Address inputs = 3.0V/0V, at f = 3 MHz
-
15
30
mA
Input Leakage
Current
I
LI
V
IN
= V
SS
to V
DD
-
-
90
μ
A
Output Leakage
Current
I
LO
V
OUT
= V
SS
to V
DD
-
-
90
μ
A
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.5
-
0.8
V
Input High Voltage
V
IH
-
2.0
-
V
DD
+0.5
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 2.1 mA
-
-
0.45
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -0.1mA
2.4
-
-
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W39V040CQZ | 512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH LPC INTERFACE |
| W39V040FA | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INERFACE |
| W39V040FAP | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INERFACE |
| W39V040FAQ | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INERFACE |
| W39V040FAT | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INERFACE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| W39V040FAQ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INERFACE |
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