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參數資料
型號: W942508CH-75
廠商: WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM
中文描述: 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
封裝: 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
文件頁數: 4/47頁
文件大小: 1317K
代理商: W942508CH-75
W942508CH
- 4 -
3. KEY PARAMETERS
SYMBOL
DESCRIPTION
MIN./MAX.
-7
-75
CL = 2
Min.
7.5 nS
8 nS
t
CK
Clock Cycle Time
CL = 2.5
Min.
7 nS
7.5 nS
t
RAS
Active to Precharge Command Period
Min.
45 nS
45 nS
t
RC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
65 nS
65 nS
I
DD1
OPERATION CURRENT (SINGLE BANK)
Max.
120 mA
120 mA
I
DD4
Burst Operation Current
Max.
165 mA
155 mA
I
DD6
SELF-REFRESH CURRENT
Max.
3 mA
3 mA
SYMBOL
DESCRIPTION
MIN./MAX.
-5
-6
CL = 2.5
Min.
5 nS
6 nS
t
CK
Clock Cycle Time
CL = 3
Min.
5 nS
6 nS
t
RAS
Active to Precharge Command Period
Min.
40 nS
42 nS
t
RC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
55 nS
60 nS
I
DD1
OPERATION CURRENT (SINGLE BANK)
Max.
120 mA
120 mA
I
DD4
Burst Operation Current
Max.
165 mA
165 mA
I
DD6
SELF-REFRESH CURRENT
Max.
3 mA
3 mA
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