- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄363908 > W981216 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 2M x 16 bit x 4 Banks SDRAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | W981216 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 2M x 16 bit x 4 Banks SDRAM |
| 中文描述： | 200萬× 16位× 4個銀行內存 |
| 文件頁數： | 34/44頁 |
| 文件大小： | 2173K |
| 代理商： | W981216 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁當前第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁
W981216AH
2M x 16 bit x 4 Banks SDRAM
Revision 1.0 Publication Release Date: March, 1999
- 34 -
Autoprecharge timing ( Read Cycle )
Read
Act
AP
Read
Act
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Q0
Q0
Q0
Q0
Read
AP
Act
Q1
Read
AP
Act
Q1
Q1
Q2
Q2
Q3
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
AP
Act
Read
(3) CAS Latency=4
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate
command to the start of internal precgarging must be at least tRAS(min).
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note )
t
RP
t
RP
t
RP
t
RP
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W981216AH | 2M x 16 bit x 4 Banks SDRAM |
| W981216BH | 2M x 4 BANKS x 16 BIT SDRAM |
| W981216AH-75 | x16 SDRAM |
| W981216AH-8H | x16 SDRAM |
| W981616BH | 512K ⅴ 2 BANKS ⅴ 16 BITS SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W981216AH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M x 16 bit x 4 Banks SDRAM |
| W981216AH-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
| W981216AH-8H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
| W981216BH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M x 4 BANKS x 16 BIT SDRAM |
| W981216BH-75 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SDRAM, 8M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。