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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W986408CH-75 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | x8 SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 36/44頁 |
| 文件大小： | 2208K |
| 代理商： | W986408CH-75 |
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W986408CH
2M x 8 bit x 4 Banks SDRAM
Revision 1.0 Publication Release Date: March, 1999
- 36 -
Autoprecharge timing ( Write Cycle )
Write
Act
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
D0
D0
D0
D0
AP
Act
D1
AP
Act
D1
D1
D2
D2
D3
D3
D4
D5
D6
D7
AP
Act
Write
Write
Write
(3) CAS Latency=4
Write
Act
AP
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate
command to the start of internal precgarging must be at least t
RAS
(min).
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note )
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
t
RP
t
WR
DQ
DQ
DQ
DQ
( a ) burst length = 1
( b ) burst length = 2
( c ) burst length = 4
( d ) burst length = 8
Command
Command
Command
Command
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W986408CH-8H | x8 SDRAM |
| W986416AH | 1M words x 16 bit x 4 Banks SDRAM(1M字 x 16 位 x 4 組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| W986416BH | 1M words x 16 bit x 4 Banks SDRAM(1M字 x 16 位 x 4 組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| W986416DH | 1M X 4 BANKS X 16 BITS SDRAM |
| W986416CH | 1M x 16 BIT x 4 BANKS SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W986408CH-8H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x8 SDRAM |
| W986416CH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M x 16 BIT x 4 BANKS SDRAM |
| W986416CH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
| W986416CH-7 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SDRAM, 4M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| W986416CH-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
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