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參數資料
| 型號： | W986416AH |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 1M words x 16 bit x 4 Banks SDRAM(1M字 x 16 位 x 4 組同步動態RAM) |
| 中文描述： | 1M字× 16位× 4個銀行的SDRAM（100萬字× 16位× 4個組同步動態RAM）的 |
| 文件頁數： | 36/45頁 |
| 文件大小： | 1337K |
| 代理商： | W986416AH |
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W986416AH
1M x 16 bit x 4 Banks SDRAM
Revision 1.2 Publication Release Date: May, 1998
- 36 -
Autoprecharge timing ( Write Cycle )
D0
Write
Act
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
D0
D0
D0
D0
AP
Act
D1
AP
Act
D1
D1
D2
D2
D3
D3
D4
D5
D6
D7
AP
Act
AP
Act
AP
Act
D1
D0
AP
Act
D1
D2
D3
AP
Act
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
Write
Write
Write
Write
Write
Write
Write
D0
(1) CAS Latency=2
(2) CAS Latency=3
Write
Act
AP
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate
command to the start of internal precgarging must be at least tRAS(min)
.
represents the Write with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note )
tRP
tWR
tRP
tWR
tRP
tWR
tRP
tWR
tRP
tWR
tRP
tWR
tRP
tWR
tRP
tWR
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W986416BH | 1M words x 16 bit x 4 Banks SDRAM(1M字 x 16 位 x 4 組同步動態RAM) |
| W986416DH | 1M X 4 BANKS X 16 BITS SDRAM |
| W986416CH | 1M x 16 BIT x 4 BANKS SDRAM |
| W986416CH-6 | x16 SDRAM |
| W986416CH-7 | x16 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W986416CH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M x 16 BIT x 4 BANKS SDRAM |
| W986416CH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
| W986416CH-7 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SDRAM, 4M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| W986416CH-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
| W986416CH-8H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
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