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參數(shù)資料
| 型號： | W986416CH-8H |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | x16 SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 39/48頁 |
| 文件大小： | 1647K |
| 代理商： | W986416CH-8H |
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W986416DH
Publication Release Date: April 11, 2002
- 39 -
Revision A4
Operating Timing Example, continued
Auto-precharge Timing (Read Cycle)
Read
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Q0
Q0
Read
AP
Act
Q1
Read
AP
Act
Q1
Q2
AP
Act
Read
Act
Q0
Q3
(1) CAS
Latency=2
( a ) burst length = 1
Read
Act
AP
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate command to
the start of internal precgarging must be at least t
RAS
(min).
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note:
t
RP
t
RP
t
RP
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
t
RP
Q0
Read
AP
Act
Q0
Read
AP
Act
Q1
Q0
Read
AP
Act
Q1
Q2
Q3
Read
AP
Act
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
(2) CAS
( a ) burst length = 1
t
RP
t
RP
t
RP
t
RP
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
DQ
DQ
DQ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W986432DH | 512K ⅴ 4 BANKS ⅴ 32 BITS SDRAM |
| W986432AH | 512K x 4 BANKS x 32 BITS SDRAM |
| W986432AH-55 | x32 SDRAM |
| W986432AH-6 | x32 SDRAM |
| W986432AH-7 | x32 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W986416DH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M X 4 BANKS X 16 BITS SDRAM |
| W986416DH-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, 54 Pin Plastic SMT |
| W986416DH-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X1MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| W986416DH-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X1MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| W986416DH-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X1MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
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