- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄363918 > WFP70N06 (Wisdom Semiconductor Inc.) N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | WFP70N06 |
| 廠商： | Wisdom Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | N溝道MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 774K |
| 代理商： | WFP70N06 |
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
Note : I
※
D
= 70A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
5000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
※
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
0
10
1
10
2
175
℃
Notes :
※
1. V
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
※
J
= 25
℃
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
0
10
1
10
2
175
℃
25
℃
-55
℃
Notes :
※
1. V
= 25V
2. 250μs Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
GS
V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Notes :
※
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WFP730 | N-Channel MOSFET |
| WFP740 | N-Channel MOSFET |
| WFP740 | N-Channel MOSFET |
| WFP75N08 | N-Channel MOSFET |
| WFP75N08 | N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WFP70N06T | 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| WFP730 | 制造商:WISDOM 制造商全稱:WISDOM 功能描述:N-Channel MOSFET |
| WFP740 | 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| WFP75N08 | 制造商:WISDOM 制造商全稱:WISDOM 功能描述:N-Channel MOSFET |
| WFP7N60 | 制造商:WISDOM 制造商全稱:WISDOM 功能描述:N-Channel MOSFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。