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參數資料
| 型號： | WFU2N60 |
| 廠商： | Wisdom Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | N溝道MOSFET |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 721K |
| 代理商： | WFU2N60 |
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
150
℃
Notes :
※
1. V
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
※
1. V
= 40V
2. 250μs Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
1
2
3
4
5
6
0
3
6
9
12
15
18
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
※
J
= 25
℃
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
GS
V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
Notes :
※
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
V
DS
= 480V
Note : I
※
D
= 2.0 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
C
oss
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
※
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WFD430 | N-Channel MOSFET |
| WFU430 | N-Channel MOSFET |
| WFF2N60 | N-Channel MOSFET |
| WFF4N60 | N-Channel MOSFET |
| WFF634 | N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| WFU2N60B | 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| WFU430 | 制造商:WISDOM 制造商全稱:WISDOM 功能描述:N-Channel MOSFET |
| WFU4N60 | 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| WFU5N50 | 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| WFU5N60 | 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
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