- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄152681 > 120NQ035 120 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 120NQ035 |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | D-67, HALF PAK-1 |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | 120NQ035 |
120NQ...(R) Series
Bulletin PD-2.224 rev. D 07/04
2
www.irf.com
T
J
Max. Junction Temperature Range
-55 to 150
°C
T
stg
Max. Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance Junction
0.40
°C/W DC operation * See Fig. 4
to Case
R
thCS Typical Thermal Resistance, Case to
0.15
°C/W Mounting surface , smooth and greased
Heatsink
wt
Approximate Weight
25.6 (0.9) g (oz.)
T
Mounting Torque
Min.
17 (15)
Non-lubricated threads
Max.
29 (25)
Terminal Torque
Min.
23 (20)
Max.
46 (40)
Case Style
HALF PAK Module
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
120NQ Units
Conditions
Kg-cm
(Ibf-in)
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
(1)
0.57
V
@ 120A
* See Fig. 1
0.73
V
@ 240A
0.52
V
@ 120A
0.69
V
@ 240A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current (1)
10
mA
T
J =
25 °C
* See Fig. 2
500
mA
T
J = 125 °C
V
F(TO) Threshold Voltage
0.32
V
T
J = TJ max.
r
t
Forward Slope Resistance
1.37
m
C
T
Max. Junction Capacitance
5200
pF
V
R = 5VDC, (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25 °C
L
S
Typical Series Inductance
7.0
nH
From top of terminal hole to mounting plane
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10000
V/ s
(Rated V
R)
T
J =
25 °C
T
J = 125 °C
V
R = rated VR
Parameters
120NQ Units
Conditions
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
Electrical Specifications
I
F(AV) Max. Average Forward Current
120
A
50% duty cycle @ T
C = 106° C, rectangular wave form
* See Fig. 5
I
FSM
Max. Peak One Cycle Non-Repetitive 29,000
5s Sine or 3s Rect. pulse
Surge Current * See Fig. 7
1550
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
E
AS
Non-Repetitive Avalanche Energy
81
mJ
T
J = 25 °C, IAS = 12 Amps, L = 1.12 mH
I
AR
Repetitive Avalanche Current
12
A
Current decaying linearly to zero in 1 sec
Frequency limited by T
J max. VA = 1.5 x VR typical
Parameters
120NQ Units
Conditions
Absolute Maximum Ratings
A
Following any rated
load condition and
with rated V
RRM applied
Part number
120NQ035(R)
120NQ040(R)
120NQ045(R)
V
R
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
35
40
45
Voltage Ratings
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 120NQ040 | 120 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 120NQ045 | 120 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1217132-1 | 0.8 mm2, BRASS, TIN FINISH, TAB TERMINAL |
| 1217491-1 | BRASS, TIN FINISH, TAB TERMINAL |
| 1217993-1 | BRASS, TIN FINISH, WIRE TERMINAL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 120NQ035-1 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 120A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:610mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 35V 不同?Vr，F 時的電容:5200pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:HALF-PAK 供應商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:27 |
| 120NQ035R | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER |
| 120NQ035R-1 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 120A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:610mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 35V 不同?Vr，F 時的電容:5200pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:HALF-PAK 供應商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:27 |
| 120NQ040 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 120A HALF-PAK RoHS:是 類別:半導體模塊 >> 二極管，整流器 系列:- 標準包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:30A 電壓 - (Vr)（最大）:400V 反向恢復時間(trr):65ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:2 個獨立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商設備封裝:ISOTOP? 包裝:管件 |
| 120NQ040-1 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 120A PRM1-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:610mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:5200pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:HALF-PAK 供應商器件封裝:PRM1-1（Half Pak 模塊） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:27 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。