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參數資料
| 型號： | 2N5551S |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | Epitaxial Planar NPN Transistor(General Application,High Voltage Application)(外延平面NPN晶體管（通用型，高電壓應用）) |
| 中文描述： | 外延平面NPN晶體管（一般應用，高電壓應用程序）（外延平面npn型晶體管（通用型，高電壓應用）） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | 2N5551S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5582 | Chip Type 2C2222A Geometry 0400 Polarity NPN |
| 2N5582 | Small Signal Transistors |
| 2N6990JANTX | MULTIPLE NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N6990JANTXV | MULTIPLE NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N6990JAN | MULTIPLE NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5551S_99 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR |
| 2N5551-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.6A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5551T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
| 2N5551TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5551TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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