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CSD18514Q5A

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • CSD18514Q5A
    CSD18514Q5A

    CSD18514Q5A

  • 深圳市歐瑞芯電子有限公司
    深圳市歐瑞芯電子有限公司

    聯(lián)系人：韓小姐原裝、張先生代理、張小姐香港公司

    電話：0755-82714889135304089901847561915913682488994

    地址：深圳市福田區(qū)現(xiàn)代之窗A座11C/香港元朗區(qū)宏業(yè)西街33號(hào)元朗貿(mào)易中心206室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 35000

  • TI/德州儀器

  • VSONP8

  • 25+

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨支持實(shí)單

  • CSD18514Q5A
    CSD18514Q5A

    CSD18514Q5A

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國(guó)上海

  • 321218

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)庫存，原裝正品

  • CSD18514Q5A
    CSD18514Q5A

    CSD18514Q5A

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TI

  • VSONP8

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • CSD18514Q5A
    CSD18514Q5A

    CSD18514Q5A

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 321218

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
CSD18514Q5A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 40V N CH MOSFET
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 89A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 4.5V，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 40nC @ 20V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 74W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 7.9 毫歐 @ 15A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-VSONP（5x6）
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD18514Q5A 技術(shù)參數(shù)
  • CSD18513Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:124A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4280pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:96W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 19A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（5x6） 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18512Q5B 功能描述:40V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:211A (Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7120pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:139W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON-CLIP（5x6） 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18511Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:159A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.45V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:63nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5850pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:104W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 24A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（5x6） 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18511KTTT 功能描述:40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:110A（Ta），194A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5940pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:188W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18510Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:153nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:11400pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:156W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.96 毫歐 @ 32A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON-CLIP（5x6） 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18533Q5A CSD18533Q5AT CSD18534KCS CSD18534Q5A CSD18534Q5AT CSD18535KCS CSD18535KTT CSD18535KTTT CSD18536KCS CSD18536KTT CSD18536KTTT CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18541F5T
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