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CSD18535KTT

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD18535KTT
    CSD18535KTT

    CSD18535KTT

  • 深圳市歐瑞芯電子有限公司
    深圳市歐瑞芯電子有限公司

    聯(lián)系人：韓小姐、張先生

    電話：1353040899018475619159

    地址：深圳市福田區(qū)現(xiàn)代之窗A座11C/香港元朗區(qū)宏業(yè)西街33號(hào)元朗貿(mào)易中心206室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • TI

  • VSONP8

  • 25+

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨支持實(shí)單

  • CSD18535KTT
    CSD18535KTT

    CSD18535KTT

  • 惠芯易購(gòu)(深圳)科技有限公司
    惠芯易購(gòu)(深圳)科技有限公司

    聯(lián)系人：肖小姐

    電話：0755-82797941

    地址：公司一部：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北賽格廣場(chǎng)59樓5904AB

  • 4500

  • TI

  • TO-263

  • 21+

  • -

  • 原廠直銷(xiāo)，深港倉(cāng)儲(chǔ)，全線排單

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
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CSD18535KTT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD18535KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:81nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6620pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD18534Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Ta），50A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.8 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1770pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18534KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:45A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1880pF @ 30V 功率 - 最大值:107W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD18533Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.9 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2750pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18533Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.9 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2750pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-SON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18541F5 CSD18541F5T CSD18542KCS CSD18542KTT CSD18542KTTT CSD18543Q3A CSD18543Q3AT CSD18563Q5A CSD18563Q5AT CSD19501KCS CSD19502Q5B CSD19502Q5BT CSD19503KCS CSD19505KCS CSD19505KTT CSD19505KTTT CSD19506KCS CSD19506KTT
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